Flash-Speicher und Data Recovery

Flash-Speicher hat seinen Namen aufgrund seiner Mikrochip Anordnung in einer solchen Weise, dass seine Sektion von Speicherzellen in einer einzigen Aktion oder "Flash" wird gelöscht.

Beide NOR-und NAND-Flash-Speicher wurden von Dr. Fujio Masuoka von Toshiba in 1984.The name 'Flash' erfunden wurde vorgeschlagen, weil der Löschvorgang des gespeicherten Inhalts erinnert ein Blitz einer Kamera, und der Name wurde geprägt, um auszudrücken, wie viel schneller es könnte gelöscht "in a flash" werden. Dr. Masuoka präsentiert die Erfindung bei der International Electron Devices Meeting (IEDM) in San Jose, Kalifornien 1984 die und Intel gehalten erkennt das Potential der Erfindung und Einführung des ersten kommerziellen NOR-Flash-Chips im Jahr 1988, mit langen Lösch-und schreib mal.

Flash-Speicher ist eine Form der nicht-flüchtigen Speicher, der elektrisch gelöscht werden kann und rewrite, was bedeutet, dass sie nicht brauchen Strom, um die Daten auf dem Chip gespeichert zu halten. Darüber hinaus bietet Flash-Speicher schnellen Lesezugriff und bessere Stoßfestigkeit als Festplatten. Diese Charakteristika erklären die Beliebtheit von Flash-Speicher für Anwendungen wie Speicherung auf batteriebetriebene Geräte.

Flash-Speicher ist Kreditkarte von EEPROM (Electrically Erasable Programmable-Read-Only Memory), die mehrere Speicherstellen zu gelöscht oder geschrieben in ein Programmiervorgang ermöglicht. Im Gegensatz zu einem EPROM (Electrically Programmable Read-Only Memory) ein EEPROM programmiert und gelöscht werden mehrfach elektrisch. Normalen EEPROM ermöglicht nur einem Standort zu einem Zeitpunkt gelöscht oder geschrieben werden kann, was bedeutet, dass bei höheren Blitz kann wirksamen Geschwindigkeiten arbeiten, wenn die Systeme unter Verwendung, sie lesen und beschreiben unterschiedlichen Stellen gleichzeitig. Mit Bezug auf die Art der Logikgatter in jeder Speicherzelle verwendet wird, wird im Flash-Speicher zwei Sorten aufgebaut ist und als, NOR-und NAND-Flash-Blitz.

Flash-Speicher speichert ein Bit Information in einer Matrix aus Transistoren, "Zellen" genannt jedoch bisherigen Flashspeichereinrichtungen als Multi-Level-Cell-Geräte bezeichnet werden, können mehr als ein Bit pro Zelle gespeichert werden je nach Höhe der Elektronen auf dem Floating-Gate platziert eine Zelle. NOR-Flash-Zelle ähnelt Halbleitervorrichtung wie Transistoren, aber es hat zwei Toren. Erste ist das Steuer-Gate (CG) und das zweite ist ein schwebendes Gate (FG), das Schild oder rundum durch eine Oxidschicht isoliert ist. Da das FG ist abgelegen von den Schild Oxidschicht, platziert Elektronen auf sie eingeklemmt und die Daten werden in gespeicherten. Auf der anderen Seite NAND Flash verwendet Tunnel Injektion für Schreib-und Tunnel-Version zum Löschen.

NOR-Flash, die von Intel im Jahr 1988 mit einzigartigen Merkmal der langen Lösch wurde entwickelt und schreib mal und seine Ausdauer Löschzyklen reicht von 10.000 bis 100.000 eignet sich zur Speicherung von Programm-Code, der selten aktualisiert werden, wie in der digitalen Kamera und PDAs muss . Obwohl Nachfrage späteren Karten in Richtung der billigeren NAND-Flash bewegt; NOR-Flash-ist bisher die Quelle aller Wechselmedien. Folgte 1989 Samsung und Toshiba Form NAND-Flash mit höherer Dichte, geringere Kosten pro Bit dann NOR Flash mit schnelleren Lösch-und Schreib-Zeiten, aber sie erlaubt nur den Sequenzdaten Zugang, nicht zufällig wie NOR-Flash, die NAND Flash für Massenspeicher macht wie Speicherkarten.

SmartMedia wurde erstmals NAND-basierte Wechselmedien und viele andere sind hinter wie MMC, Secure Digital, xD-Picture Cards und Memory Stick. Flash-Speicher wird häufig zur Steuercode wie dem Basic Input / Output System (BIOS) in einem Computersystem zu halten. Wenn BIOS geändert werden (umgeschrieben) werden muss, kann der Flash-Speicher in Block werden als Byte-Größen geschrieben, so dass es einfach zu aktualisieren. Auf der anderen Seite ist Flash-Speicher nicht praktisch, Random Access Memory (RAM) als RAM benötigt, die bei der Byte (nicht der Block) Ebene adressierbar. Somit wird es mehr als eine Festplatte als ein RAM verwendet.

Wegen dieser besonderen Eigenart, wird es mit spezifisch konzipiert Dateisystemen die schreibt über das Medium erstrecken und sich mit den langen Löschzeiten des NOR Flash-Blöcke verwendet wird. JFFS war die erste Dateisysteme von JFFS2 veraltet. Dann YAFFS wurde im Jahr 2003 veröffentlicht, die sich speziell mit NAND-Flash-und JFFS2 wurde aktualisiert, um NAND-Flash zu unterstützen. Doch in der Praxis die meisten folgt alten FAT-Dateisystem zur Wahrung der Kompatibilität.

Obwohl sie gelesen werden kann oder Schreiben eines Byte auf einmal in einem Direktzugriffsspeicher Weise wird Begrenzung der Flash-Speicher, muß sie eine "Block" auf einmal gelöscht werden. Beginnend mit einer frisch gelöschten Blöcke kann jede Byte innerhalb dieses Blocks programmiert werden. Sobald jedoch ein Byte programmiert wurde, kann sie nicht mehr verändert werden, bis der gesamte Block gelöscht. Mit anderen Worten bietet Flash-Speicher (Flash-spezifisch NOR) mit wahlfreiem Zugriff Lese und Programmieroperationen, aber nicht bieten Direktzugriffsspeicher Umschreiben oder Löschvorgänge.

Dieser Effekt wird teilweise durch irgendeine Chip Firmware oder Filesystemtreiber durch Zählen der schreibt und dynamisch Neuabbilden der Blöcke, um die Schreiboperationen zwischen den Sektoren verteilt oder durch Schreibprüfung Offset und Neuzuordnen von Sektoren bei Schreibfehler ersparen.

Aufgrund der Abnutzung und auf der isolierenden Oxidschicht auf der Ladungsspeichereinrichtung Mechanismus reißen, alle Arten von Flash-Speichers nach einer bestimmten Anzahl von Lösch-Funktionen im Bereich von 100.000 bis 1.000.000 erodieren, aber es kann sein, eine unbegrenzte Anzahl von Malen gelesen.

Flash Card ist leicht wiederbeschreibbaren Speicher und überschreibt ohne Vorwarnung mit einer hohen Wahrscheinlichkeit von Daten überschrieben und damit verloren.

Trotz all dieser klaren Vorteile, kann schlimmer entstehen durch Systemausfall, Versagen der Batterie, versehentlichem Löschen, neu formatieren, Stromstöße, fehlerhafte Elektronik und Korruption durch Hardware-Defekt oder Software-Störungen verursacht; als Ergebnis Ihre Daten könnten verloren gehen und beschädigt.

Flash Memory Data Recovery ist der Prozess der Wiederherstellung der Daten von primären Speichermedien, wenn es in der Regel nicht voll genutzt werden. Flash-Speicher Datenrettung ist ein Flash-Speicher-Datei Recovery-Service, der alle beschädigten und gelöschten Fotos auch wenn eine Speicherkarte wurde neu formatiert wiederherstellt. Dies kann aufgrund physikalischer Beschädigung oder Beschädigung des logischen Speichergerät. Daten auch vor Schäden Flashspeicher kann zurückgewonnen werden, und mehr als 90% des verlorenen Daten wiederhergestellt werden können.
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